Planta de oxígeno PSA para la fabricación de semiconductores

Pureza del oxígeno:La fabricación de semiconductores normalmente requiere oxígeno de pureza ultra alta, que generalmente debe alcanzar el 99,999 % o incluso más, para garantizar la calidad y el rendimiento de los productos semiconductores.
Caudal de oxígeno:De acuerdo con la escala de producción y los requisitos del proceso de fabricación de semiconductores, los equipos de oxígeno PSA deben proporcionar un caudal de oxígeno estable para satisfacer la demanda continua de oxígeno en el proceso de producción.
Temperatura del punto de rocío:Se requiere que el contenido de humedad en el oxígeno sea extremadamente bajo y, por lo general, se requiere que la temperatura del punto de rocío sea inferior a - 60 grados para evitar que la humedad tenga un efecto adverso en el proceso de fabricación de semiconductores.
Contenido de impurezas de partículas:El contenido de impurezas particuladas en el oxígeno debe controlarse estrictamente y generalmente debe ser inferior a 0.1 micrones, para evitar que las impurezas particuladas causen defectos en la superficie de los chips semiconductores.

La oxidación es un paso básico y crítico en muchos eslabones del proceso de fabricación de semiconductores. Por ejemplo, en el proceso de oxidación de obleas de silicio, se requiere oxígeno de alta pureza para formar una capa de dióxido de silicio (SiO₂). Esta capa de dióxido de silicio se puede utilizar como capa aislante o como máscara para procesos posteriores. El oxígeno de alta pureza proporcionado por los equipos de oxígeno PSA (generalmente con una pureza de hasta 99,999% o incluso más) puede garantizar la precisión y estabilidad de la reacción de oxidación, de modo que la capa de dióxido de silicio generada tenga una calidad uniforme y un espesor preciso, lo que Es muy importante para la fabricación de dispositivos semiconductores de alto rendimiento (como transistores en circuitos integrados).